UTHM Institutional Repository

Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron

Sulong, Muhammad Suhaimi (2005) Pencirian elektrik dan bahan bagi peranti CMOS 0.15 mikron. Masters thesis, Universiti Kebangsaan Malaysia.

[img] PDF
24_Pages_from_PENCIRIAN_ELEKTRIK_DAN_BAHAN_BAGI_PERANTI_CMOS_0.15_MIKRON.pdf

Download (934kB)

Abstract

Satu kajian untuk mengukur pencirian bagi peranti CMOS dengan panjang get 0.15 mikron telah dijalankan. Analisa bagi pencirian clektrik dilaksanakan menggunakan Sistem Penguk.llran CV-IV manakala analisa bagi pencirian bahan pula dilaksanakan menggunakan Fokus Alur Ion (FIB), Mikroskopi Pcngcsan Ekktron (SEM) dan Peleraian Tenaga Sinar-X (EDX). Kcputusan bagi kajian tersebut menunjukkan operasi bagi transistor nMOS Icbih k.llrang dua kali ganda kc1ajuannya berbanding transistor pMOS dengan nilai purata voltan ambang (Vr) sebanyak 0.36V berbanding 0.66V bagi transistor pMOS. Sehubungan dengan itu, daripada kcratan rentas yang dihasilkan oleh FIB, panjang get bagi transistor nMOS dan pMOS masing-masing ialah 0.124 mikron dan 0.135 mikron. Bahan-bahan bagi peranti tersebut terdiri daripada bahan silikon (Si) bagi bahagian substrat, bahan polisilikon (Si) bagi transistor get, bahan tungsten (W) bagi bahagian sentuhan, bahan aluminium (AI) bagi bahagian sambungan logaml, logam2 dan logam 3 scrta bahan silikon oksida (Si02) bagi bahagian medan oksida tebal. Sebagai kesimpulan, peranti ini telah difabrikasi dengan sempuma dan ia sepatutnya mampu berfungsi dcngan baik.

Item Type: Thesis (Masters)
Subjects: T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Depositing User: Norfauzan Md Sarwin
Date Deposited: 01 Apr 2011 09:49
Last Modified: 29 Apr 2011 06:41
URI: http://eprints.uthm.edu.my/id/eprint/740
Statistic Details: View Download Statistic

Actions (login required)

View Item View Item

Downloads

Downloads per month over past year